总部位于英国的MicroLED公司Plessey已成功开发出它认为是世界上第一个基于硅的RedGaN InGaN。
基于InGaN的蓝色和绿色LED可商购获得，红色LED通常基于AlInGaP材料或颜色转换的红色。对于AR，由于AlInGaP材料的严重边缘效应和颜色转换过程造成的模腔损失，实现高效超细间距红色像素（<5 µm）仍然遥不可及。
与现有的基于AlInGaP的红色相比，基于InGaN的红色具有更低的制造成本，可扩展至更大的200 mm或300 mm晶圆的可扩展性以及更好的热/冷系数，因此具有吸引力。然而，由于铟含量高，在有源区中引起显着应变，从而降低了晶体质量并产生了许多缺陷，因此，使用InGaN材料实现红色光谱发射具有挑战性。
Plessey通过使用专有的应变工程有源区来创建高效的InGaN Red LED，成功克服了这些挑战。
Plessey的InGaN Red microLED在10 A / cm 2时的波长为630 nm，半峰全宽为50 nm，热冷系数超过90％，并且效率高于传统的AlInGaP和以超细像素间距进行颜色转换的Red。有了这个结果，Plessey现在能够制造天然的蓝色，绿色和红色InGaN材料，或者使用其在硅上的GaN平台调谐400至650 nm的波长。
Plessey外延和高级产品开发总监Wei Sin Tan表示：“这是一个令人振奋的结果，因为它为低成本制造超细间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径，这将加速microLED的采用。在AR微型显示器和移动/大型显示器应用中。我们的创新解决方案再次证明了Plessey作为microLED技术的世界领导者的地位。”
Plessey最近的其他里程碑事件包括，世界上第一个晶圆级键合单片3,000 ppi GaN on Silicon microLED发光显示器，与有源矩阵CMOS背板混合；以及同一晶片上的原生蓝色和绿色发射层。
匿名