你指的是集成电路芯片吗？如果是的话，我觉得要分成几个部分。
集成电路芯片的制造技术可以分为设计，芯片制造与封装，因为美国一直要制裁中国，很多关键设备禁止进口到中国，所以设备也是很关键的一部分。
芯片设计部分，我觉得中国大陆已经可以跟列强平起平坐了，所以没有突破的问题，但是最关键的设计方案平台还是要用英国的ARM，目前这家公司可能会被美国芯片设计公司英伟达nvidia收购，如果美国继续制裁中国大陆，大陆的芯片设计可能会受到一定的打击，但是没有芯片制造冲击这么大！
芯片制造，就是晶圆代工，中国大陆跟海外的差距比较大，但是时间在我们这边，我是这样分析的，如果芯片制造的极限是2纳米的栅极线宽，新材料又没有突破，台积电预估在2024年可以量产2纳米制程，中芯国际目前量产的14纳米制程，台积电2014年就已经量产了，如果依照这样的差距，理想状况下，大陆应该可以在2030年做到2纳米制程，但是存在两个变数，光刻机被禁运与关键设备被卡脖子，而中国国产设备要赶上列强，至少要花十年以上的时间，这样的话，芯片制造可能要2040年才能赶上跟海外先进芯片制造的差距！当然如果在2040年前统一台湾，那就是另外一回事了！
封装与测试的差距比较小，但是在先进封装方面，大陆与国外还是有差距，但是比较小，估计两三年内大陆就可以赶上最先进的封装技术了！
最后讲到设备，这个也是美国卡住三星与台积电不敢供货给华为海思的最大原因，甚至中芯国际都会受到限制，因为很多关键设备都有美国成分，应用材料AMAT，泛林Lam与KLA都是美国设备巨头，ASML是荷兰公司，除了政治压力，他们的光刻机里面的很多配件也有美国成分，所以不敢出最先进的EUV光刻机给大陆！
所以设备的差距最后会是中国大陆芯片突破最大的变数，我觉得中国大陆不一定要什么设备都做，可以先发展只有美国独家可以做的设备(大陆的芯片公司在设备采购上先去美国化，然后扶持国产设备公司取代美国设备，把美国设备公司干掉)，在政治与经济上跟日本韩国与欧洲友好，让他们不要选边美国，跟着美国制裁我们，这样也许是最好的策略，如此，我们应该可以用最短的时间拉近跟世界先进芯片技术的差距！
以上是我个人见解，仅供你参考参考！
匿名